Messwerte / Leistungsdaten / Tests
Angaben vom Hersteller zu den Leistungsdaten
Lesegeschwindigkeit (MB/s)
14.500,00 / 16.000,00 MB/s
Schreibgeschwindigkeit (MB/s)
13.800,00 / 16.000,00 MB/s
Random Read IOPS (IOPS)
2.200.000,00 / 3.000.000,00 IOPS
Random Write IOPS (IOPS)
2.300.000,00 / 3.000.000,00 IOPS
Produktdetails
- IOPS: 2,2 - 2,3 Millionen
- Cache: pSLC (dynamisch)
- Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm
- Leistungsaufnahme: < 7 W im Betrieb
- Total-Bytes-Written: 1200 TB
- MTBF: 1,5 Millionen Stunden
- Key: M-Key
- Anbindung: PCIe Gen 5.0 x4 / NVMe 2.0
- NAND-Typ: 3D TLC (Micron G9, 276-Layer)
- Controller: Silicon Motion SM2508
- DRAM-Cache: vorhanden (2 GB LPDDR4)
- Garantie: 5 Jahre
- Formfaktor: M.2 2280
Weitere Informationen
Technisch basiert die T710 auf Microns TLC-NAND (G9 / 276-Layer) und verwendet ein DRAM-Cachemodul (LPDDR4) für geringere Latenzen. Sie erreicht bei zufälligen Zugriffen Werte bis zu 2,2 Mio. IOPS lesend und 2,3 Mio. IOPS schreibend (4K, Herstellerangabe). Die Haltbarkeit (TBW) für das 2-TB-Modell liegt bei ca. 1.200 TBW, und die MTBF wird mit rund 1,5 Mio. Stunden angegeben. Zudem nutzt die T710 einen dynamischen pSLC-Cache im zweistelligen GB-Bereich, um Schreiblastspitzen abzufangen, bevor auf TLC-Modus übergegangen wird. Da PCIe-5.0-SSDs unter Dauerlast höhere Temperaturen erreichen können, ist gute Wärmeabführung (z. B. durch Kühlkörper) ratsam.