Messwerte / Leistungsdaten
Produktdetails
- IOPS: > 1 Millionen
- Cache: DRAM + dynamischer pSLC
- Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm
- Leistungsaufnahme: < 9 W im Betrieb
- Total-Bytes-Written: 1200 TB
- MTBF: 1,5 Millionen Stunden
Weitere Informationen
Technisch verwendet die SN8100 neueste V-NAND-Technologie zusammen mit einem DRAM-Cache (Größe je nach Modell) und einem dynamischen pSLC-Cache im zweistelligen GB-Bereich, der kurzfristige Schreibspitzen abfängt, bevor die Daten auf TLC-NAND zurückfallen. Bei zufälligen Zugriffen im 4K-Bereich erreicht sie IOPS im hohen sechsstelligen bis siebenstelligen Bereich (typisch: über 1 Million IOPS), abhängig von Workload und Queue Depth. Der Stromverbrauch liegt im aktiven Zustand bei unter 9 W, im Leerlauf bei wenigen Milliwatt. Die Haltbarkeit wird mit ~1.200 TBW angegeben, und die MTBF liegt in der Größenordnung von 1,5 Millionen Stunden. Für beste Performance unter Dauerlast empfiehlt sich eine gute Wärmeabführung, z. B. durch Kühlbleche oder das Mainboard-Heatsink.