Eine vielseitige NVMe-SSD mit PCIe 5.0- und 4.0-Kompatibilität – für Gaming, Content Creation und Alltagsanwendungen.
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| Leistungsaufnahme | 4,2 W - 4,6 W |
|---|---|
| Cache | pSLC (dynamisch) |
| MTBF | 1,5 Millionen Stunden |
| Garantie | 5 Jahre |
| Key | M-Key |
| Abmessungen | 80 x 22 x 2,3 mm |
| Anbindung | PCIe Gen 5.0 x2 / 4.0 x4 / NVMe 2.0 |
| NAND-Typ | V-NAND TLC (V8, 236-Layer) |
| Controller | Samsung Piccolo (DRAM-less) |
| DRAM-Cache | keiner (Host Memory Buffer) |
| IOPS | 1 - 1,35 Millionen |
| Total-Bytes-Written | 1200 TB |
| Formfaktor | M.2 2280 |
Die Samsung 990 EVO Plus kommt im M.2-2280-Format und kann je nach System ueber PCIe 5.0 x2 oder ueber PCIe 4.0 x4 genutzt werden. Sie erreicht sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s sowie Schreibwerte von bis zu 6.300 MB/s. Damit ist sie eine gute Wahl fuer schnelle Bootzeiten, Spiele oder Anwendungen aus dem Foto- und Videobereich. Zusaetzlich zu TRIM und S.M.A.R.T. unterstuetzt sie aktuelle Sicherheitsstandards (TCG/Opal, AES-256). Samsung gibt auf die 990 EVO Plus eine fuenfjaehrige Garantie.
Die Samsung 990 EVO Plus nutzt Samsung V-NAND (V8 TLC) in Kombination mit einem Host Memory Buffer (HMB), da kein eigener DRAM-Cache vorhanden ist. Fuer Schreibspitzen ist ein dynamischer pSLC-Cache vorgesehen, der den TLC-NAND bei kleinen und mittleren Transfers entlastet. In Benchmarks liefert sie bis zu 1.000K IOPS im zufaelligen Lesen und 1.350K IOPS beim Schreiben (4K, QD32). Der Energieverbrauch liegt je nach Last zwischen 4 W und 5 W, im Idle-Zustand unter 60 mW. Mit einer mittleren Betriebsdauer (MTBF) von 1,5 Mio. Stunden und einer TBW-Angabe von 1.200 TB ist sie auf langfristigen Einsatz ausgelegt.
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