Messwerte / Leistungsdaten / Tests
Produktdetails
- Leistungsaufnahme: 4,2 W - 4,6 W
- Cache: pSLC (dynamisch)
- MTBF: 1,5 Millionen Stunden
- Garantie: 5 Jahre
- Key: M-Key
- Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm
- Anbindung: PCIe Gen 5.0 x2 / 4.0 x4 / NVMe 2.0
- NAND-Typ: V-NAND TLC (V8, 236-Layer)
- Controller: Samsung Piccolo (DRAM-less)
- DRAM-Cache: keiner (Host Memory Buffer)
- IOPS: 1 - 1,35 Millionen
- Total-Bytes-Written: 1200 TB
- Formfaktor: M.2 2280
Weitere Informationen
Die Samsung 990 EVO Plus nutzt Samsung V-NAND (V8 TLC) in Kombination mit einem Host Memory Buffer (HMB), da kein eigener DRAM-Cache vorhanden ist. Fuer Schreibspitzen ist ein dynamischer pSLC-Cache vorgesehen, der den TLC-NAND bei kleinen und mittleren Transfers entlastet. In Benchmarks liefert sie bis zu 1.000K IOPS im zufaelligen Lesen und 1.350K IOPS beim Schreiben (4K, QD32). Der Energieverbrauch liegt je nach Last zwischen 4 W und 5 W, im Idle-Zustand unter 60 mW. Mit einer mittleren Betriebsdauer (MTBF) von 1,5 Mio. Stunden und einer TBW-Angabe von 1.200 TB ist sie auf langfristigen Einsatz ausgelegt.