Produktdaten // Eckdaten
4,2 W - 4,6 W
Leistungsaufnahme
sPLC-Cache
Cache
1,5 Millionen Stunden
Mean-Time-Between-Failures
5 Jahre
Garantie
M.2 2280
Key
80 x 22 x 2,3 mm
Abmessungen
Weitere Informationen
Die Samsung 990 EVO nutzt V-NAND in Kombination mit einem Host Memory Buffer (HMB), da kein eigener DRAM-Cache vorhanden ist. Für Schreibspitzen ist ein dynamischer pSLC-Cache vorgesehen, der den TLC-NAND bei kleinen und mittleren Transfers entlastet. In Benchmarks liefert sie bis zu 700K IOPS im zufälligen Lesen und 800K IOPS beim Schreiben (4K, QD32, 16-Thread). Der Energieverbrauch liegt je nach Last zwischen 4 W und 5 W, im Idle-Zustand unter 50 mW. Mit einer mittleren Betriebsdauer (MTBF) von 1,5 Mio. Stunden und einer TBW-Angabe von 1200 TB ist sie auf langfristigen Einsatz ausgelegt.
- Wir haben folgende Werte erhoben
Lesegeschwindigkeit (GB/s)
13,54 / 15,75 GB/s
Schreibgeschwindigkeit (GB/s)
12,34 / 15,75 GB/s